市场上从结构与制作工艺而言，陶瓷基板又可分为高温共烧多层陶瓷基板（HTCC）、低温共烧陶瓷基板（LTCC）、厚膜陶瓷基板（TFC）、直接敷铜陶瓷基板（DBC）、直接镀铜陶瓷基板（DPC）等。

而其中直接敷铜陶瓷基板和直接镀铜陶瓷基板仅有一字之差，但却是两种不同的陶瓷基板制备技术，今天我们来看一看这两种陶瓷基板各蕴含着怎样的玄机。

直接镀铜DPC陶瓷基板是将陶瓷基板做预处理清洁，利用半导体工艺在陶瓷基板上溅射铜种子层，再经曝光、显影、蚀刻、去膜等光刻工艺实现线路图案，最后再通过电镀或化学镀方式增加铜线路的厚度，移除光刻胶后即完成金属化线路制作。

直接镀铜DPC陶瓷基板主要优缺点：

1.优点：

低温工艺（300℃以下），完全避免了高温对材料或线路结构的不利影响，也降低了制造工艺成本；

采用薄膜与光刻显影技术，使基板上的金属线路更加精细（线宽尺寸20~30m，表面平整度低于0.3m，线路对准精度误差小于±1%），因此DPC陶瓷基板非常适合对准精度要求较高的电子器件封装。

2.缺点：

电镀沉积铜层厚度有限，且电镀废液污染大；

金属层与陶瓷间的结合强度较低，产品应用时可靠性较低。

直接镀铜DPC陶瓷基板：

1）金属线路层与陶瓷基片的结合强度是影响DPC陶瓷基板可靠性的关键。由于金属与陶瓷间线膨胀系数差较大，为降低界面应力，需要在铜层与陶瓷间增加过渡层，从而提高界面结合强度。由于过渡层与陶瓷间的结合力主要以扩散附着及化学键为主，因此常选择Ti、Cr和Ni等活性较高、扩散性好的金属作为过渡层(同时作为电镀种子层)。

2）电镀填孔也是DPC陶瓷基板制备的关键技术。目前DPC陶瓷基板电镀填孔大多采用脉冲电源，其技术优势包括：易于填充通孔，降低孔内镀层缺陷；表面镀层结构致密，厚度均匀；可采用较高电流密度进行电镀，提高沉积效率。