先进陶瓷基板对精细线/空间图案形成和大功率应用的需求推动了dpc（直接镀铜）陶瓷基板技术的发展。与LTCC、HTCC、DBC陶瓷基板相比，DPC陶瓷基板还具有表面平整度和走线对准误差更小的优势，通过将Ag塞孔工艺更改为Cu填充孔工艺，DPC技术继续向更高功率、微波应用和更低成本发展。

由于DPC陶瓷基板中通孔的尺寸和纵横比特性，完全填充通孔以及表面电路配方极具挑战性。这个完整的项目通过开发dpc陶瓷基板的制造工艺和材料来提出我们的解决方案，以克服无空洞通孔填充的挑战。

此外，增加了差分蚀刻工艺以增强蝶形电镀并控制表面电镀厚度，为了达到镀铜迹线和凸块的表面平整度和面板水平均匀性的要求，为电镀矫平机设计了一种新颖的分子结构。同时满足了电路配方对表面镀层厚度、表面平整度的要求，通过优化脉冲电镀波形、有机添加剂和孔中的搅拌条件，采用了蝶形电镀工艺来填充通孔。

电镀陶瓷基板DPC具有很好的导热/耐热性好、图形精度高、可垂直互连等技术优势，广泛应用于功率半导体器件封装。在dpc陶瓷基板制备过程中，电镀铜层厚度及其均匀性、表面粗糙度等对基板性能及器件封装质量影响极大。对比分析了几种研磨技术对dpc陶瓷基板性能的影响，实验结果表明砂带研磨效率高，但铜层表面粗糙度高，只适用于dpc陶瓷基板表面粗磨加工，数控研磨与陶瓷刷磨加工的铜层厚度均匀性好，表面粗糙度低，满足光电器件倒装共晶键合的要求（通常粗糙度小于0.3μm，厚度范围较小）大于 30 微米）。对于表面粗糙度要求较高（小于0.1 μm）的DPC陶瓷基板，需要将粗磨和化学机械抛光（CMP）等研磨工艺相结合。