随着第三代半导体功率器集成度和功率密度的明显提高，相应工作产生的热量急剧增加。因此，半导体电子封装系统的散热问题已成为影响其性能和寿命的关键，要有效解决器件的散热问题，必须现在高导热性的陶瓷基板材料。

半导体功率器件是于电力电子技术及其应用装置的基础，也是推动电力电子变换器发展的主要源泉。半导体功率器件处于现代电力电子变换器的心脏地位，在它对装置的可靠性、成本性和性能起着十分重要的作用。

半导体功率器件几乎用于所有的电子制造业，也是目前半导体功率的应用范围已从传统的工业控制和4C产业（计算机、通信、消费类电子产品和汽车），扩展到新能源、轨道交通、智能电网等新领域。在半导体功率器件使用过程中还是需要考虑颠簸、震动等复杂应用条件，这是对陶瓷基板等材料机械力学性能和可靠性提出了更高要求。在陶瓷基板其具备了高强度、高导热、耐高温、抗氧化、热膨胀系数低和抗热震等热、力性能，同时具有较好的气密性，可隔离水汽、氧气和灰尘等特点，成为大功率半导体器件基板的最佳材料，被广泛应用到半导体功率集成电路中。

陶瓷基板的特点要求：

1. 优异的热导率,高的热导率代表了优异的散热性能，直接影响功率器件的运行状况和使用寿命 ； 

2. 高的力学性能，尤其材料抗弯强度和断裂韧性对功率器件可靠性有直接影响 ； 

3. 良好的绝缘性和抗电击穿能力 ； 

4. 低的热膨胀系数，与SiC衬底在热膨胀系数的匹配上具有其他陶瓷 不可替代的优势 ； 

5. 良好的高频特性，即低的介电常数和低的介质损耗 ； 

6. 表面光滑，厚度一致,便于在基板表面印刷电路，并确保印刷电路的厚度均匀。

半导体功率器件的制造商离不开电子封装，电子封装为芯片和电子元件提供机械支撑及环境保护，实现电互联和信号传输提供快速散热通道，让器件能更好的发挥各项性能。其中，电子封装用基板材料要求具有低成本、易加工、高导热性与绝缘等特性，而陶瓷基板材料凭借其极好的耐高温、耐腐蚀、热导率高、机械强度高、热膨胀系数与芯片相匹配及不易劣化等特性成为大功率、高密度、高温及高频器件封装的首选。

目前，用在半导体功率器件领域的陶瓷基板材料主要为氧化铝、氮化铝、氮化硅等，三者在性能、工艺、成本等方面各有优势及不足，而具体的材料选择以及发展方向，是由下游功率半导体模块提出的需求决定的。其中，作为大功率电子半导体模块的优势材料，氮化铝和氮化硅陶瓷基板，目前仍旧还处于不相伯仲的竞争状态。

氮化铝陶瓷基板的优势在于其它基板的热导率，而氮化硅陶瓷基板的优势在于综合性能优秀，它的热导率比氮化铝低，但它的抗弯强度更高，与此同时，与第三代半导体SiC的热膨胀匹配性更好。而在当前SiC芯片极度缺芯的态势下，陶瓷基板制造商在具体应用过程中，又会对陶瓷基板材料提出了怎样的进展方向需求？