随着高新科技的不断发展，对于目前需要的气密封装的光学器件，通常需要在dpc陶瓷基板上设置箱坝，利用箱围坝里所配置的空间并可填充封装胶，从而实现更佳的气密性。

现有的技术中，一般是采用金属围坝，利用焊料直接焊接在镀铜dpc陶瓷基板上，虽然这种方式可以焊接连接箱坝和dpc陶瓷基板，但是，由于熔断铜点较高，那么这种封装最需要800℃以上的高温通过箱坝焊接在dpc陶瓷基板上，这个高温是对dpc陶瓷基板最大的考验，对dpc陶瓷基板的影响很大。而产品质量在这种高温的焊接方式既消耗能量，又不利于量化生产。

对于针对现有技术存在的消失，其主要目的在于提供一种带金属围坝的dpc陶瓷基板制备方法，然而它可以有效解决现有采用高温方式和采用箱坝焊接在dpc陶瓷基板上，那么这容易造成质量下降和功耗不利于量化生产的问题。为实现上述情况，一种带金属围坝的dpc陶瓷基板制备方法，包括以下几个步骤：

（1）制作陶瓷基板和围坝；

（2）陶瓷基板上电镀熔点为240℃-400℃合金材料形成第一焊层，围坝外表面电镀熔点为240℃-400℃合金材料形成第二焊接层；

（3）在第一焊缝表面覆盖一层氧化皮粉或焊料形成关节面，在陶瓷基板上放置围坝，使第二焊缝层层叠在关节面，形成半成品；

（4）半成品交叉回流焊，在惰性气体保护下，温度控制在240℃-400℃之间。使第一焊层和第二焊层焊接在一起；

（5）取出冷却即可形成成品；

作为一种可选方案，所述陶瓷基板包括基板、上铜板和下铜板，在其上铜板和下铜板分别设置在基板的上下表面，其上设有通孔该基板，该过孔的导通连接在铜板和下铜板之间，且上述第一焊接层设置在铜板的表面上。

    以上就是本文通过在dpc陶瓷基板和围坝上预先镀上熔点，为240℃-400℃的合金材料形成第一焊缝层和第二焊缝层，并配合氧化皮粉或者在第一焊缝层和第二焊缝层之间放置焊料，然后再过回流焊，将第一焊缝层和第二焊缝层焊接在一起，本发明方法可以在240℃的低温环境下进行。400℃，有效防止高温对产品质量的影响，工艺简单，最节能，易于再次量产，本发明方法可用于Can、IC、LED等级别的密封封装和芯片封装，具有广阔的应用前景，尤其是目前有望兴起的开发UV LED是一种实现量产的有效途径。