氮化铝用作覆铜基板材料的优点

目前，高性能氮化铝陶瓷板在先进封装工艺中用作导热基板，铜直接粘合在氮化铝上，以进一步设计电路、表面贴装晶体管和功率二极管。由于其良好的热学和电学性能，AlN已逐渐成为此类基板设计的首选材料，可用作大功率器件的绝缘基板、VLSI的散热基板和封装基板等。

氮化铝覆铜板具有氮化铝的导热性和机械强度，以及铜的导热性和导电性，因此在航空航天领域具有很大的应用潜力。此外，“铜-氮化铝-铜”夹层结构可以在电子系统的模块化和集成化中发挥关键作用，作为功率模块的机械支撑、电气隔离和散热路径。值得注意的是，在氮化铝覆铜板的应用中，AlN和Cu之间的界面键合非常重要，界面相决定了陶瓷与金属铜层之间的结合力。氮化铝覆铜板的常规制备工艺包括热压法和DBC。

热压法需要通过磁控溅射在AlN表面溅射金属层，然后引入铜片进行热压。DBC方法需要对AlN陶瓷和Cu片进行预氧化，然后进行热处理以粘合。DBC法制备的基材剥离强度约为热压法的4倍，Cu和AlN可以形成更强的结合力，在恶劣工况的航空航天领域具有较好的应用前景。