热门关键词:展至科技 氧化铝陶瓷基板/支架 氮化铝陶瓷基板/支架 陶瓷覆铜板 陶瓷电路板
氮化铝热导性绝缘性出众,其热膨胀系数与硅相匹配:
氮化铝因出众的热导性及与硅相匹配的热膨胀系数,成为电子领域备受关注的 材料。氮化铝是一种六方晶系钎锌矿型结构形态的共价键化合物,其具有一系列优 良特性,包括优良的热导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数等。它既是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料,也 可用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等,应用前景广阔。 AlN 的晶体结构决定了其出色的热导性和绝缘性。根据《氮化铝陶瓷的流延成型 及烧结体性能研究》的研究中提到,由于组成 AlN 分子的两种元素的原子量小,晶体结构较为简单,简谐性好,形成的Al-N 键键长短,键能大,而且共价键的共振有利于声子传热机制,使得AlN 材料具备优异于一般非金属材料的热传导性,此外 AlN 具备高熔点、高硬度以及较高的热导率,和较好的介电性能。
AlN 相较其他陶瓷材料,与硅相匹配的热膨胀系数,加上优秀的热导性,更有利于应用于电子产业。根据《AlN 陶瓷热导率及抗弯强度影响因素研究的新进展》的研 究中提到,AlN 因其热膨胀系数与 Si 匹配度高而被广泛关注,而传统的基板材料如 Al2O3 由于其热导率低,其值约为 AlN 陶瓷的 1/5 且线膨胀系数与 Si 不匹配,已经不 能够满足实际需求。BeO 与 SiC 陶瓷基板的热导率也相对较高,但 BeO 毒性高,SiC 绝缘性不好。而AlN 作为一种新型高导热陶瓷材料,具有热膨胀系数与 Si 接近、散热性能优良、无毒等特性,有望成为替代电子工业用陶瓷基板 Al2O3、SiC 和 BeO 的极佳材料。