AlN应用性能出众(四）

DPC 高精度可互连优势，LED 领域需求量大

DPC工艺常用于大功率LED封装。由于陶瓷基板具有高绝缘、高导热和耐热、低膨胀等特性，特别是采用垂直通孔技术的DPC陶瓷基板，可有效满足倒装共晶、COB(板上芯片封装)、CSP(芯片尺寸封装)等技术白光LED封装需求。DPC陶瓷基板制备前端采用了半导体微加工技术(溅射镀膜、光刻、显影等)，后端则采用了印刷线路板(PCB)制备技术(图形电镀、填孔、表面研磨、刻蚀、表面处理等)，技术优势明显。具体特点包括：(1)采用半导体微加工技术，陶瓷基板上金属线路更加精细(线宽/线距可低至30μm~50μm，与线路层厚度相关)，因此DPC基板非常适合对准精度要求较高的微电子器件封装；(2)采用激光打孔与电镀填孔技术，实现了陶瓷基板上/下表面垂直互联，可实现电子器件三维封装与集成，降低器件体积；(3)采用电镀生长控制线路层厚度(一般为10μm~100μm)，并通过研磨降低线路层表面粗糙度，满足高温、大电流器件封装需求；(4)低温制备工艺(300°C以下)避免了高温对基片材料和金属线路层的不利影响，同时也降低了生产成本。综上所述，DPC基板具有图形精度高，可垂直互连等特性。

DPC陶瓷基板制备工艺：首先利用激光在陶瓷基片上制备通孔(孔径一般为60μm~120μm)，随后利用超声波清洗陶瓷基片；采用磁控溅射技术在陶瓷基片表面沉积金属种子层(Ti/Cu)，接着通过光刻、显影完成线路层制作；采用电镀填孔和增厚金属线路层，并通过表面处理提高基板可焊性与抗氧化性，最后去干膜、刻蚀种子层完成基板制备。

DPC基板也存在一些不足：(1)金属线路层采用电镀工艺制备，环境污染严重；(2)电镀生长速度低，线路层厚度有限(一般控制在10μm~100μm)，难以满足大电流功率器件封装需求。目前DPC陶瓷基板主要应用于大功率LED封装，生产厂家主要集中在我国台湾地区，目前梅州展至科技也已实现量产。

LED芯片对于散热要求极为苛刻，车载照明将进一步提升AlN基板的需求。目前单芯片1W大功率LED已产业化，3W、5W，甚至10W的单芯片大功率LED也已推出，并部分走向市场。这使得超高亮度LED的应用面不断扩大，从特种照明的市场领域逐步走向普通照明市场。由于LED芯片输入功率的不断提高，对这些功率型LED的封装技术提出了更高的要求。而传统的基板无法承载高功率的热能，氮化铝陶瓷具有良好的导热和绝缘性能，能够提高LED功率水平和发光效率。功率LED已经在户外大型看板、小型显示器背光源、车载照明、室内及特殊照明等方面获得了大量应用。